January 27th, 2013

Yuri Panchul 1994

По следам моего поста "Фотоотчет о встрече Сколково и Роснано в Пало-Альто"

По следам моего поста Фотоотчет о встрече Сколково и Роснано в Пало-Альто. ЖЖ-юзер theschmidts выступил вот с какой критикой инвестиционных действий Роснано:

[User Picture]From:theschmidts</span>
2013-01-26 04:55 am none (UTC)
Track This

(Link)

Скажите, а Вы действительно не понимаете, что для MRAM чипа нужно еще делать кремниевые транзисторы по самым передовым нормам (чтобы соперничать с DRAM) и не знаете, что основные игроки на рынке памяти - Самсунг и Тошиба уже купили самые перспективные стартапы в этой области и готовят mass production.
Оставшиеся mram стартапы ищу лохов ффективных менеджеров с элегантными бизнес схемами, чтобы продаться и отбить вложения для первоначальных инвесторов и основателей.
[User Picture]From:panchul</span>
2013-01-26 05:12 am none (UTC)
Track This

(Link)

Какие, по-вашему стартапы, купленные Самсунгом и Тошибой, перспективнее Крокуса и по какому параметру они перспективнее (явно не по доле текущего рынка)? Не могли бы вы привести ссылки на статьи, обосновывающие ваши слова (я не специалист по памяти, а только по ее использованию, поэтому я к сожалению действительно не понимаю).



Edited a 2013-01-26 06:01 (UTC)
[User Picture]From:theschmidts</span>
2013-01-27 10:03 am none (UTC)
Track This

(Link)

Я получил много вопросов в измененных комментариях, не очень понятно, на какие отвечать. :)
Я занимаюсь tcad-ом , а точнее front-end process modelling, так что о технологии, в том числе и DRAM, кое-что знаю. 

Технология MRAM, как Вы сами пишете, должна заменить (в перспективе) DRAM. Для управления динамической памятью со случайным доступом просто необходимо уметь очень быстро получать доступ к информации в каждой конкретной ячейке, а для этого нужны быстры логические ранзисторы. По одному на каждую ячейку памяти (+усилители +контрольная логика). Все они должны быть сделаны практически по самым современным нормам (если, конечно, пытаться заменить DRAM). 
MRAM, судя по всему, пока для DRAM не конкурент, но в DRAM скейлинг скоро кончится. Вот тут-то MRAM и выйдет на рынок, ведь там скейлин (если сделают, конечно), но, опять же, чтобы соревноваться с тяжеловесами на этом рынке надо хотя бы обладать достаточно передовой (а не десятилетней давности) полупроводниковой технологией. 
Вот тут, например, есть красноречивая иллюстрация того, почему всего несколько фирм в мире смогут позволить себе производство конкурентоспособной MRAM 

Управляющий транзистор должен находиться под ячейкой и иметь соответствующие размеры. Если вы не можете его произвести - вы не конкурентоспособны и вкладываться а такую технологию смысла не имеет (кроме как продаться большому дяде после, но у больших игроков уже есть "свои" стартапы).

Конечно, можно говорить о других приложениях (например, какие-нибудь кэши, где еще используется NOR-flash, но это все небольшие и сжимающиеся рынки)...

Чем же конкретн технология Тошибы ли купленного Самсунгом Грандиса лучше - сказать сложно. Корейцы, например, сейча вообще мало публикуют если Вы понимаете о чем я). Я подозреваю, что более высокой надежностью: thermal assisted switching обычно приводит к проблемам в data retention и endurance (как показал опыт мертворожденной phase change memory), поэтому в MRAM от него хотят отказаться. 

PS
Кстати, у Вас приведена цитата из Википедии с ОЧЕНЬ устаревшими данными. Самсунг уже почти 2 год ПРОДАЕТ 27nm Flash, ну и DRAM по нормам 90 нм - это уже позавчерашний день. Маленький нюанс, но сильно меняет картину для оценок перспективности MRAM